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 Quantitative Dynamic Evolution of Unoccupied States in Hydrogen Diffused InGaZnSnO TFT under Positive Bias Temperature Stress 正偏压温度应力下氢扩散InGaZnSnO TFT中未占据态的定量动态演化
相关领域
薄膜晶体管
材料科学
氢
压力（语言学）
物理
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语言学
哲学
图层（电子）
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期刊：ACS Applied Electronic Materials 作者：Hyunmin Hong; Min Jung Kim; Dong‐Joon Yi; Dong Yeob Shin; Yeon‐Keon Moon; et al 出版日期：2024-09-27 |
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