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 Linearity Characterization of Enhancement- Mode p-GaN Gate Radio-Frequency HEMT 增强模式p-GaN栅射频HEMT的线性特性
相关领域
线性
高电子迁移率晶体管
互调
跨导
功勋
晶体管
电气工程
物理
光电子学
材料科学
拓扑（电路）
CMOS芯片
放大器
工程类
电压
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| 其它 |
期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Yan Cheng; Zheyang Zheng; Yat Hon Ng; Kevin J. Chen 出版日期：2023-11-01 |
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