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 Tunneling Diode Based on WSe2/SnS2 Heterostructure Incorporating High Detectivity and Responsivity 基于WSe2/SnS2异质结构的高探测率和高响应率隧道二极管
相关领域
异质结
材料科学
响应度
光电子学
光电探测器
量子隧道
堆积
光电二极管
二极管
范德瓦尔斯力
比探测率
物理
分子
核磁共振
量子力学
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| 其它 |
期刊：Advanced Materials 作者：Xing Zhou; Xiaozong Hu; Shasha Zhou; Hongyue Song; Qi Zhang; et al 出版日期：2018-01-10 |
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