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Recent progress in InGaZnO FETs for high-density 2T0C DRAM applications
用于高密度2T0C DRAM的InGaZnO场效应晶体管研究进展
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期刊:Science China Information Sciences 作者:Shengzhe Yan; Zhaori Cong; Nianduan Lu; Jinshan Yue; Qing Luo 出版日期:2023-09-21 |
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