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标题
Plasma treatment for chemical SiOx enables excellent passivation of p-type polysilicon passivating contact featuring the lowest J of ∼6 fA/cm2
化学SiOx的等离子体处理使得p型多晶硅钝化触点具有优异的钝化效果，其最低J值为6 fA/cm2
相关领域
钝化 等离子体增强化学气相沉积 材料科学 等离子体 悬空债券 蚀刻（微加工） 远程等离子体 硅 分析化学（期刊） 图层（电子） 化学气相沉积 纳米技术 光电子学 化学 有机化学 量子力学 物理
网址
https://doi.org/10.1016/j.solmat.2023.112354
DOI
10.1016/j.solmat.2023.112354 doi
其它 期刊：Solar Energy Materials and Solar Cells
作者：Haiyang Xing; Zunke Liu; Zhenhai Yang; Mingdun Liao; Qinqin Wu; et al
出版日期：2023-05-06
求助人
皮雁子 在 2024-12-02 15:05:01 发布自广东，悬赏 10 积分
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