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标题
Monte Carlo study of a 50 nm-dual-gate HEMT providing against short-channel effects
50 nm双栅HEMT抗短沟道效应的蒙特卡罗研究
相关领域
高电子迁移率晶体管 蒙特卡罗方法 对偶（语法数字） 频道（广播） 材料科学 光电子学 计算机科学 电气工程 工程类 电信 数学 晶体管 统计 艺术 文学类 电压
网址
https://doi.org/10.1016/0038-1101(93)90239-m
DOI
10.1016/0038-1101(93)90239-m doi
其它 期刊：Solid-State Electronics
作者：P. Dollfus; P. Hesto
出版日期：1993-05-01
求助人
Ll 在 2024-12-19 14:24:37 发布自江西，悬赏 10 积分
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