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Effect of Al Concentration on Ferroelectric Properties in HfAlOx‐Based Ferroelectric Tunnel Junction Devices for Neuroinspired Applications
铝浓度对神经激励用HfAlOx基铁电隧道结器件铁电性能的影响
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期刊:Advanced intelligent systems 作者:Jihyung Kim; Dahye Kim; Kyung Kyu Min; Matthias Kraatz; Taeyoung Han; et al 出版日期:2023-08-01 |
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