High crystal quality strained Si0.5Ge0.5 layer with a thickness of up to 50 nm grown on the three-layer SiGe strain relaxed buffer

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标题	High crystal quality strained Si0.5Ge0.5 layer with a thickness of up to 50 nm grown on the three-layer SiGe strain relaxed buffer 在三层SiGe应变松弛缓冲液上生长具有高达50 nm厚度的高晶体质量应变Si0.5Ge0.5层
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S13698...
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
求助人	自觉的静竹在 2023-07-20 11:13:29 发布自上海，悬赏 10 积分
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