| 标题 |
 Boron‐Doped Polysilicon Passivating Contacts Achieving a Single‐Sided J0 of 4.0 fA/cm2 Through a Two‐Step Oxidation Process 通过两步氧化工艺实现单面J0为4.0 fA/cm2的掺硼多晶硅钝化触点
相关领域
钝化
兴奋剂
材料科学
硼
饱和电流
退火（玻璃）
氧化物
分析化学（期刊）
硅
形成气体
太阳能电池
光电子学
电压
电气工程
纳米技术
冶金
图层（电子）
化学
有机化学
工程类
色谱法
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Progress in Photovoltaics Research and Applications 作者：Yali Ou; Haojiang Du; Na Lin; Zunke Liu; Wei Liu; et al 出版日期：2024-12-30 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
杳鸢
张益萌
丰知然
个性的紫菜
yar
彭于彦祖
劲秉
方赫然
我不爱池鱼
模糊中正
pluto
wqqwd
手机
良辰
萧水白
cocolu
Billy
tuanheqi
从容芮
123
皖公网安备34019202002308
