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标题
TCAD Modeling of Negative Bias Temperature Instability
负偏压温度不稳定性的TCAD建模
相关领域
PMOS逻辑 负偏压温度不稳定性 阈值电压 可靠性（半导体） 晶体管 材料科学 电压 扩散 降级（电信） 联轴节（管道） 物理 电子工程 热力学 工程类 功率（物理） 量子力学 冶金
网址
https://doi.org/10.1109/sispad.2006.282902
DOI
10.1109/sispad.2006.282902 doi
其它 期刊：International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices
作者：Tibor Grasser; R. Entner; O. Triebl; H. Enichlmair; R. Minixhofer
出版日期：2006-09-01
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等待的凝芙 在 2024-12-18 11:42:59 发布自陕西，悬赏 10 积分
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