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标题
Studies on suppressed surface recombination of InGaN-based red light-emitting diodes with V-pits
V型凹坑抑制InGaN基红色发光二极管表面复合的研究
相关领域
发光二极管 材料科学 电致发光 光电子学 二极管 波长 电流密度 量子效率 俘获 纳米技术 物理 生态学 量子力学 生物 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2024.160819
DOI
10.1016/j.apsusc.2024.160819 doi
其它 期刊：Applied Surface Science
作者：Zhi Li; Brendan Roycroft; Bumjoon J. Kim; Abhinandan Hazarika; Muhammet Genc; et al
出版日期：2024-07-26
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爱听歌衬衫 在 2025-01-10 09:43:16 发布自上海，悬赏 10 积分
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