Monolithic E/D-mode P-GaN/AlGaN/GaN HFETs using reactivation annealing process

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标题	Monolithic E/D-mode P-GaN/AlGaN/GaN HFETs using reactivation annealing process 采用再激活退火工艺的单片E/D模式P-GaN/AlGaN/GaN HFET 相关领域材料科学退火（玻璃）光电子学氮化镓过程（计算）纳米技术冶金计算机科学图层（电子）操作系统
网址	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.108483
DOI	10.1016/j.mssp.2024.108483 doi
其它	期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Yeo-Reum Yang; Jun-Hyeok Yim; Hyun-Seop Kim; Ho‐Young Cha 出版日期：2024-05-03
求助人	liuchuck 在 2024-12-26 13:38:55 发布自湖南，悬赏 10 积分
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