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 Transient Modeling and Loss Analysis of SiC MOSFETs at Cryogenic and Room Temperatures 低温和室温下SiC MOSFET的瞬态建模和损耗分析
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期刊：IEEE Transactions on Applied Superconductivity 作者：Xiaoyuan Chen; Shan Jiang; Yu Chen; Hua Yu Gou; Qi Xie; et al 出版日期：2021-08-10 |
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