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标题
p-Type Oxide Thin-Film Transistor with Unprecedented Hole Field-Effect Mobility for an All-Oxide CMOS CFET-like Inverter Suitable for Monolithic 3D Integration
具有前所未有的孔场效应迁移率的p型氧化物薄膜晶体管，用于适合单片3D集成的全氧化物COCFET类反相器
相关领域
CMOS芯片 材料科学 氧化物 逆变器 光电子学 场效应晶体管 晶体管 薄膜晶体管 电子迁移率 纳米技术 电气工程 工程类 图层（电子） 电压 冶金
网址
https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.4c03742
DOI
10.1021/acs.nanolett.4c03742 doi
其它 期刊：Nano Letters
作者：Jiqing Lu; Mei Shen; Xuewei Feng; Tian Tan; Haoyue Guo; et al
出版日期：2024-11-19
求助人
RYAN 在 2024-11-22 16:54:41 发布自福建，悬赏 10 积分
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