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 An Enhancement-Mode Algan/GaN HEMT with Island-Ohmic p-GaN Featuring Stable Threshold voltage and Large Gate Swing 具有稳定阈值电压和大栅极摆幅的岛欧姆p-GaN增强型Algan/GaN HEMT
相关领域
高电子迁移率晶体管
欧姆接触
材料科学
摇摆
光电子学
宽禁带半导体
氮化镓
阈值电压
模式（计算机接口）
电压
电气工程
晶体管
计算机科学
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图层（电子）
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| 其它 |
期刊：2024 36th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 作者：Xinyue Dai; Qimeng Jiang; Chao Feng; Zhongchen Ji; Sen Huang; et al 出版日期：2024-07-10 |
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