InGaN-based light-emitting diodes with Al content graded p-AlxGa1-xN top contact layer

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标题	InGaN-based light-emitting diodes with Al content graded p-AlxGa1-xN top contact layer 具有Al含量分级的p-AlxGa1-xN顶部接触层的InGaN基发光二极管相关领域发光二极管材料科学二极管光电子学图层（电子）复合材料
网址	https://doi.org/10.1016/j.physe.2022.115352
DOI	10.1016/j.physe.2022.115352 doi
其它	期刊：作者：Ming- Lun Lee; Shang-Ju Tu; Jinn-Kong Sheu 出版日期：2022-09-01
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