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 Backside Power Delivery With Relaxed Overlay for Backside Patterning Using Extreme Wafer Thinning and Molybdenum-Filled Slit Nano Through Silicon Vias 使用极端晶片减薄和钼填充狭缝纳米通孔进行背面图案化的松弛覆盖的背面功率传输
相关领域
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Peng Zhao; Liesbeth Witters; Anne Jourdain; Michele Stucchi; N. Jourdan; et al 出版日期：2024-01-01 |
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