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标题
Improving High Resistance State in One-Transistor-One-Resistor (1T1R) Structure Resistance Random Access Memory With a Body-Biased Method
用体偏置法改善一晶体管一电阻(1T1R)结构电阻随机存取存储器中的高阻态
相关领域
晶体管 电阻器 电阻随机存取存储器 重置（财务） 电子工程 非易失性存储器 电气工程 工程类 计算机科学 电压 金融经济学 经济
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2023.3236316
DOI
10.1109/ted.2023.3236316 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Po‐Hsun Chen; Yu‐Ting Su; Wei‐Chen Huang; Chung‐Wei Wu
出版日期：2023-01-19
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曾经的康乃馨 在 2025-02-06 10:24:23 发布，悬赏 10 积分
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