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标题
Effective Suppression of Amorphous Ga2O and Related Deep Levels on the GaN Surface by High-Temperature Remote Plasma Pretreatments in GaN-Based Metal–Insulator–Semiconductor Electronic Devices
GaN基金属-绝缘体-半导体电子器件中高温远距离等离子体预处理对GaN表面非晶态Ga2O及相关深能级的有效抑制
相关领域
材料科学 钝化 光电子学 深能级瞬态光谱 表面状态 无定形固体 氮化镓 半导体 宽禁带半导体 带隙 X射线光电子能谱 硅 纳米技术 化学工程 图层（电子） 有机化学 化学 数学 曲面（拓扑） 工程类 几何学
网址
https://doi.org/10.1021/acsami.3c03094
AI链接 nih.govdoi.org
DOI
10.1021/acsami.3c03094 doi
其它 期刊：ACS Applied Materials & Interfaces
作者：Kexin Deng; Xinhua Wang; Sen Huang; Pengfei Li; Qimeng Jiang; et al
出版日期：2023-05-10
求助人
LYY 在 2024-11-28 14:54:34 发布自北京，悬赏 10 积分
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