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 The effect of HVPE reactor geometry on GaN growth rate—experiments versus simulations HVPE反应器几何形状对GaN生长速率的影响——实验与模拟
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期刊：Journal of Crystal Growth 作者：C.E.C. Dam; A.P. Grzegorczyk; P.R. Hageman; R. Dorsman; C.R. Kleijn; P.K. Larsen 出版日期：2004-09-14 |
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