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 Intentionally Carbon-Doped AlGaN/GaN HEMTs: Necessity for Vertical Leakage Paths 有意碳掺杂的AlGaN/GaN HEMT：垂直泄漏路径的必要性
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Michael J. Uren; Marco Silvestri; Markus Cäsar; G.A.M. Hurkx; J.A. Croon; et al 出版日期：2014-01-31 |
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