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 Vacancy-induced resistive switching and synaptic behavior in flexible BST@Cf memristor crossbars 柔性BST@Cf忆阻器横杆中空位诱导的电阻开关和突触行为
相关领域
材料科学
记忆电阻器
磁滞
光电子学
电气工程
电铸
量子隧道
纳米技术
凝聚态物理
图层（电子）
物理
工程类
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期刊：Ceramics International 作者：Ze Wang; Jianling Yue; Chao Jiang; Isaac Abrahams; Yantao Yu; et al 出版日期：2020-09-01 |
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