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 Two-dimensional-materials-based transistors using hexagonal boron nitride dielectrics and metal gate electrodes with high cohesive energy 使用具有高内聚能的六方氮化硼电介质和金属栅电极的二维材料晶体管
相关领域
材料科学
六方氮化硼
电介质
光电子学
电极
六方晶系
金属
氮化硼
晶体管
氮化物
纳米技术
冶金
电气工程
石墨烯
电压
结晶学
工程类
化学
物理化学
图层（电子）
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期刊：Nature electronics 作者：Yaqing Shen; Kaichen Zhu; Yiping Xiao; Dominic Waldhoer; Abdulrahman H. Basher; et al 出版日期：2024-08-26 |
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