标题 |
Integration of Advanced MOSFET Device with Dual Effective Band Edge Work Function Metals Using Both HK and MG Last Scheme
使用HK和MG Last方案集成具有双有效带边功函数金属的先进MOSFET器件
相关领域
材料科学
工作职能
MOSFET
锡
金属浇口
光电子学
GSM演进的增强数据速率
电子工程
平面的
CMOS芯片
电气工程
晶体管
金属
计算机科学
工程类
电压
栅氧化层
冶金
计算机图形学(图像)
电信
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其它 |
期刊:ECS Transactions 作者:Zhaoyun Tang; Bo Tang; Jing Xu; Yefeng Xu; Hongli Wang; et al 出版日期:2014-03-24 |
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