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  Ultrathin (&lt;4 nm) SiO2 and Si–O–N gate dielectric layers for silicon microelectronics: Understanding the processing, structure, and physical and electrical limits 用于硅微电子的超薄(<4 nm）SiO2和Si-O-N栅极电介质层：理解加工、结构以及物理和电学极限
相关领域
微电子
电介质
材料科学
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：M. L. Green; E. P. Gusev; R. Degraeve; Eric Garfunkel 出版日期：2001-09-01 |
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