A sub‐0.5 μm bilevel lithographic process using the deep‐UV electron‐beam resist p(si‐cms)

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标题	A sub‐0.5 μm bilevel lithographic process using the deep‐UV electron‐beam resist p(si‐cms) 使用深紫外电子束抗蚀剂p（Si-CMS）的0.5 μ m以下双层光刻工艺相关领域抵抗材料科学光刻胶分析化学（期刊）辐照蚀刻（微加工）平版印刷术电子束光刻反应离子刻蚀图层（电子）光电子学纳米技术化学色谱法物理核物理学
网址	https://doi.org/10.1002/pen.760291408
DOI	10.1002/pen.760291408 doi
其它	期刊：Polymer Engineering and Science 作者：Anthony E. Novembre; M. J. Jurek; A. Kornblit; Elsa Reichmanis 出版日期：1989-08-01
求助人	牛顿不吃果在 2025-03-04 11:17:17 发布自上海，悬赏 10 积分
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