CMOS-compatible ferroelectric NAND flash memory for high-density, low-power, and high-speed three-dimensional memory

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标题	CMOS-compatible ferroelectric NAND flash memory for high-density, low-power, and high-speed three-dimensional memory 用于高密度、低功耗和高速三维存储器的CMOS兼容铁电NAND闪存相关领域非易失性存储器闪存与非门非易失性随机存取存储器计算机科学闪光灯（摄影） CMOS芯片功率（物理）计算机存储器材料科学计算机硬件内存刷新光电子学半导体存储器逻辑门物理光学量子力学算法
网址	https://doi.org/10.1126/sciadv.abe1341
DOI	10.1126/sciadv.abe1341 doi
其它	期刊：Science Advances 作者：Min‐Kyu Kim; Ik‐Jyae Kim; Jang‐Sik Lee 出版日期：2021-01-13
求助人	田田在 2024-11-16 13:09:05 发布自吉林，悬赏 10 积分
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