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作者
Min‐Kyu Kim,Ik‐Jyae Kim,Jang‐Sik Lee
出处
期刊:Science Advances
[American Association for the Advancement of Science (AAAS)]
日期:2021-01-13
卷期号:7 (3)
被引量:123
标识
DOI:10.1126/sciadv.abe1341
摘要
A unique three-dimensional integration strategy is provided for high-performance, ultrahigh-density ferroelectric memory.
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