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Band-gap renormalization and band filling in Si-doped GaN films studied by photoluminescence spectroscopy
掺硅GaN薄膜的带隙重整化和能带填充
相关领域
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带隙
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期刊:Journal of Applied Physics 作者:Masanobu Yoshikawa; M. Kunzer; J. Wagner; H. Obloh; P. Schlotter; et al 出版日期:1999-10-15 |
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