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标题
The resistance switching performance of the memristor improved effectively by inserting carbon quantum dots (CQDs) for digital information processing
用于数字信息处理的碳量子点有效改善忆阻器的电阻开关性能
相关领域
记忆电阻器 碳量子点 量子点 量子信息处理 纳米技术 材料科学 碳纤维 光电子学 量子 电子工程 物理 工程类 复合材料 量子力学 复合数
网址
https://doi.org/10.1007/s12274-024-6801-4
DOI
10.1007/s12274-024-6801-4 doi
其它 期刊：Nano Research
作者：Tianqi Yu; Jie Li; Wei Lei; Suhaidi Bin Shafe; Mohd Nazim Mohtar; et al
出版日期：2024-07-13
求助人
喵喵酱 在 2024-12-27 19:38:46 发布自山西，悬赏 10 积分
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