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标题
Progress and challenges in the development of ultra-wide bandgap semiconductor α-Ga2O3 toward realizing power device applications
实现功率器件应用的超宽带隙半导体α-Ga2O3的进展与挑战
相关领域
材料科学 半导体 带隙 宽禁带半导体 光电子学 工程物理 钻石 纳米技术 物理 复合材料
网址
https://doi.org/10.1063/5.0126698
DOI
10.1063/5.0126698 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Yuki Oshima; Elaheh Ahmadi
出版日期：2022-12-26
求助人
东东 在 2025-01-06 18:04:42 发布自江苏，悬赏 10 积分
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