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标题
Physics-based 3D simulation of single event transient current in GaN high-electron-mobility transistor and super-heterojunction field-effect transistor
GaN高电子迁移率晶体管和超异质结场效应晶体管中单事件瞬态电流的物理三维模拟
相关领域
晶体管 瞬态（计算机编程） 异质结 光电子学 感应高电子迁移率晶体管 物理 电子迁移率 场效应晶体管 高电子迁移率晶体管 电子 宽禁带半导体 库仑阻塞 计算机科学 电压 量子力学 操作系统
网址
https://doi.org/10.1063/5.0185373
DOI
10.1063/5.0185373 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Jianan Song; Anusmita Chakravorty; Miaomiao Jin; Rongming Chu
出版日期：2024-04-22
求助人
开心的寄容 在 2025-01-08 01:46:02 发布自福建，悬赏 10 积分
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