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Variability study with CD-SEM metrology for STT-MRAM: correlation analysis between physical dimensions and electrical property of the memory element
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DOI |
10.1117/12.2257908
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期刊:Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering/Proceedings of SPIE 作者:Takeyoshi Ohashi; Atsuko Yamaguchi; Kazuhisa Hasumi; Osamu Inoue; Masami Ikota; et al 出版日期:2017-03-28 |
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