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 Synaptic transistor with a reversible and analog conductance modulation using a Pt/HfOx/n-IGZO memcapacitor 使用Pt/HfOx/n-IGZO记忆电容器的可逆和模拟电导调制突触晶体管
相关领域
材料科学
晶体管
光电子学
电容
电压
电容器
电气工程
电极
化学
工程类
物理化学
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| 其它 |
期刊：Nanotechnology 作者：Paul Yang; Hyung Jun Kim; Hong Zheng; Geon Won Beom; Jong‐Sung Park; et al 出版日期：2017-05-10 |
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