标题 |
[高分] Comparative Study of Si3N4-PECVD and Al2O3-ALD Surface Passivation in T-Shaped Gate InAlAs/InGaAs InP Based HEMTs
T型栅InAlAs/InGaAs InP基HEMT中Si3N4-PECVD和Al2O3-ALD表面钝化的比较研究
相关领域
钝化
等离子体增强化学气相沉积
材料科学
光电子学
砷化镓
硅
纳米技术
图层(电子)
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DOI | |
其它 |
期刊:Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics 作者:Muhammad Asif; Peng Ding; Chen Chen; Xi Wang; Saeedullah Jan; et al 出版日期:2018-05-29 |
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