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标题
Characterization and modeling of the mobility, threshold voltage, and subthreshold swing in p-GaN gate HEMTs at cryogenic temperatures
低温下p-GaN栅极HEMT迁移率、阈值电压和亚阈值摆幅的表征和模拟
相关领域
光电子学 阈下摆动 摇摆 材料科学 阈值电压 阈下传导 宽禁带半导体 表征（材料科学） 电压 晶体管 电气工程 物理 纳米技术 工程类 声学
网址
https://doi.org/10.1063/5.0223576
DOI
10.1063/5.0223576 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Shivendra Singh; Thien Sao Ngo; Tian‐Li Wu; Yogesh Singh Chauhan
出版日期：2024-10-07
求助人
yyru 在 2024-11-05 22:18:14 发布自江苏，悬赏 10 积分
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