Improved value for the silicon intrinsic carrier concentration from 275 to 375 K

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标题	Improved value for the silicon intrinsic carrier concentration from 275 to 375 K 硅本征载流子浓度值从275提高到375 K 相关领域硅二极管航程（航空）材料科学大气温度范围载流子寿命热扩散率标准差载流子分析化学（期刊）光电子学凝聚态物理化学物理热力学数学统计复合材料色谱法
网址	https://doi.org/10.1063/1.349645
DOI	10.1063/1.349645 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：A.B. Sproul; Martin A. Green 出版日期：1991-07-15
求助人	周小满在 2024-11-03 21:00:52 发布自江苏，悬赏 10 积分
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