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![]() NO退火4H-SiC/SiO2金属氧化物半导体场效应晶体管界面过渡层的系统结构和化学表征
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期刊:Journal of Applied Physics 作者:Joshua A. Taillon; Joon Hyuk Yang; Claude Ahyi; John Rozen; John R. Williams; et al 出版日期:2013-01-28 |
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