Study of Thickness-Dependent Mobility of MoS2FETs with HfO2 Encapsulation by Edge Contact

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标题	Study of Thickness-Dependent Mobility of MoS2FETs with HfO2 Encapsulation by Edge Contact 边缘接触HfO2封装MoS2FETs厚度相关迁移率的研究相关领域二硫化钼材料科学电介质光电子学栅极电介质场效应晶体管异质结晶体管电子迁移率基质（水族馆） GSM演进的增强数据速率纳米技术电气工程复合材料海洋学地质学工程类电压电信计算机科学
网址	https://doi.org/10.1109/icta48799.2019.9012916
DOI	10.1109/icta48799.2019.9012916 doi
其它	期刊：作者：Pengzhen Zhang; Fujiang Lin 出版日期：2019-11-01
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