| 标题 |
 Effect of Transition Metal Dichalcogenide Based Confinement Layers on the Performance of Phase‐Change Heterostructure Memory 过渡金属二硫族化合物限制层对相变异质结构存储器性能的影响
相关领域
材料科学
异质结
耐久性
相变存储器
重置（财务）
光电子学
扩散
相（物质）
可靠性（半导体）
过渡金属
电导率
相变
纳米技术
功率（物理）
图层（电子）
凝聚态物理
复合材料
化学
物理
催化作用
生物化学
有机化学
经济
热力学
物理化学
金融经济学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Small 作者：Tae Ho Kim; Seung Woo Park; Ho Jin Lee; Dong-Hyun Kim; Jun Young Choi; et al 出版日期：2023-07-23 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
个性的紫菜
爱静静
Cloud
都是
寻道图强
不配.
iNk
乐乐乐乐乐乐
好困
InfoNinja
Singularity
HEIKU
Yziii
kento
Frank
云瑾
xiaxiao
宜醉宜游宜睡
yufanhui
shinysparrow
皖公网安备34019202002308
