Remarkable Stability Improvement with a High‐Performance PEALD‐IZO/IGZO Top‐Gate Thin‐Film Transistor via Modulating Dual‐Channel Effects

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标题	Remarkable Stability Improvement with a High‐Performance PEALD‐IZO/IGZO Top‐Gate Thin‐Film Transistor via Modulating Dual‐Channel Effects 通过调制双沟道效应，高性能PEALD-IZO/IGZO顶栅薄膜晶体管的稳定性显著提高相关领域材料科学光电子学薄膜晶体管原子层沉积阈值电压可靠性（半导体）晶体管图层（电子）电子迁移率堆积纳米技术电压电气工程物理工程类功率（物理）量子力学核磁共振
网址	https://doi.org/10.1002/admi.202200501
DOI	10.1002/admi.202200501 doi
其它	期刊：Advanced Materials Interfaces 作者：Yoon‐Seo Kim; Won‐Bum Lee; Hye‐Jin Oh; TaeHyun Hong; Jin‐Seong Park 出版日期：2022-04-29
求助人	王树茂在 2023-11-14 14:17:47 发布自浙江，悬赏 10 积分
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