Leakage mechanism in ion implantation isolated AlGaN/GaN heterostructures

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标题	Leakage mechanism in ion implantation isolated AlGaN/GaN heterostructures 离子注入隔离AlGaN/GaN异质结构的泄漏机理相关领域异质结材料科学泄漏（经济）光电子学宽禁带半导体电子高电子迁移率晶体管晶体管波段图静电学离子注入离子凝聚态物理电压化学物理物理化学量子力学有机化学经济宏观经济学
网址	https://doi.org/10.1063/5.0076243
DOI	10.1063/5.0076243 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：Hao Yu; Vamsi Putcha; Uthayasankaran Peralagu; Ming Zhao; Sachin Yadav; et al 出版日期：2022-01-18
求助人	小feng 在 2023-10-30 11:01:37 发布自福建，悬赏 10 积分
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