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 Leakage mechanism in ion implantation isolated AlGaN/GaN heterostructures 离子注入隔离AlGaN/GaN异质结构的泄漏机理
相关领域
异质结
材料科学
泄漏（经济）
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Hao Yu; Vamsi Putcha; Uthayasankaran Peralagu; Ming Zhao; Sachin Yadav; et al 出版日期：2022-01-18 |
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