Circular photogalvanic effect of surface states in the topological insulator Bi2(Te0.23Se0.77)3 nanowires grown by chemical vapor deposition

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标题	Circular photogalvanic effect of surface states in the topological insulator Bi2(Te0.23Se0.77)3 nanowires grown by chemical vapor deposition 化学气相沉积生长拓扑绝缘体Bi2(Te0.23Se 0.77)3纳米线表面态的圆形光电效应相关领域纳米线拓扑绝缘体三元运算光电效应材料科学凝聚态物理化学气相沉积表面状态极化（电化学）光电子学物理化学曲面（拓扑）几何学物理化学数学计算机科学程序设计语言
网址	https://doi.org/10.1063/5.0084762
DOI	10.1063/5.0084762 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：Minggui Li; Jin ling Yu; Guangzhou Cui; Yonghai Chen; Yunfeng Lai; et al 出版日期：2022-03-21
求助人	JJ 在 2024-08-06 20:42:14 发布自浙江，悬赏 10 积分
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