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 Threshold Switching Memristor Based on 2D SnSe for Nociceptive and Leaky-Integrate and Fire Neuron Simulation 基于二维SnSe的阈值开关忆阻器用于伤害感受、泄漏整合和放电神经元模拟
相关领域
记忆电阻器
神经元
伤害
计算机科学
神经科学
材料科学
拓扑（电路）
电子工程
电气工程
工程类
心理学
医学
受体
内科学
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| 其它 |
期刊：ACS applied electronic materials 作者：Yuwei Qin; Mengfan Wu; Niannian Yu; Ziqi Chen; Jun‐Hui Yuan; et al 出版日期：2024-07-05 |
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