标题 |
Rapid Response Solar Blind Deep UV Photodetector with High Detectivity Based On Graphene:N/βGa2O3:N/GaN p‐i‐n Heterojunction Fabricated by a Reversed Substitution Growth Method
基于石墨烯:N/β Ga2O3:N/GaN p-I-N异质结的高探测率快速响应太阳盲深紫外光探测器
相关领域
异质结
材料科学
光电子学
光电探测器
费米能级
紫外线
比探测率
石墨烯
暗电流
物理
纳米技术
电子
量子力学
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DOI | |
其它 |
期刊:Small Methods 作者:Yurui Han; Yuefei Wang; Danyang Xia; Shihao Fu; Chong Gao; et al 出版日期:2023-04-25 |
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