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 Synapse Neurotransmitter Channel‐Inspired AlOx Memristor with “V” Type Oxygen Vacancy Distribution 受突触神经递质通道启发的具有“V”型氧空位分布的AlOx忆阻器
相关领域
神经形态工程学
记忆电阻器
突触后电位
突触重量
长时程增强
材料科学
传输（电信）
计算机科学
光电子学
化学
电子工程
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人工智能
工程类
电信
生物化学
受体
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期刊：Small methods 作者：Junlin Yue; Lanqing Zou; Na Bai; Zhu Chenxi; Yunhui Yi; et al 出版日期：2024-05-06 |
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