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On the laser detachment of n-GaN films from substrates, based on the strong absorption of IR light by free charge carriers in n +-GaN substrates
基于n+-GaN衬底中自由载流子对红外光的强吸收研究n-GaN薄膜与衬底的激光分离
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期刊:Semiconductors 作者:M. V. Virko; V. S. Kogotkov; A. A. Leonidov; V. V. VORONENKOV; Yu. T. Rebane; et al 出版日期:2016-05-01 |
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