A comparative study on single event irradiation effects between Trench MOSFET and Split-gate-trench MOSFET

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标题	A comparative study on single event irradiation effects between Trench MOSFET and Split-gate-trench MOSFET 沟槽MOSFET与裂栅沟槽MOSFET单事件辐照效应的比较研究相关领域 MOSFET 沟槽材料科学功率MOSFET 事件（粒子物理）阈值电压光电子学电气工程电压工程类晶体管物理纳米技术量子力学图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1109/icsict55466.2022.9963465
DOI	10.1109/icsict55466.2022.9963465 doi
其它	期刊：作者：Min Ren; Yining Wu; Shiheng Yu; Xinzhang Lai; Ningze Zhuo; et al 出版日期：2022-10-25
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