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Molybdenum disulfide transistors with enlarged van der Waals gaps at their dielectric interface via oxygen accumulation
通过氧积累在介电界面上增大范德华间隙的二硫化钼晶体管
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DOI |
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10.1002/adfm.201901971
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期刊:Nature Electronics 作者:Pengfei Luo; Chang Liu; Jun Lin; Xinpei Duan; Wujun Zhang; et al 出版日期:2022-12-05 |
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