标题 |
Oxide-based RRAM: Uniformity improvement using a new material-oriented methodology
氧化物基RRAM:使用新的面向材料的方法改善均匀性
相关领域
电阻随机存取存储器
材料科学
氧化物
光电子学
工程物理
冶金
电气工程
工程类
电压
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其它 |
期刊:Symposium on VLSI Technology 作者:Gao; Zhang; Yu; Sun; Liu; et al 出版日期:2009-01-01 |
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