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Oxide-based RRAM: Uniformity improvement using a new material-oriented methodology
氧化物基RRAM:使用新的面向材料的方法改善均匀性
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电阻随机存取存储器 材料科学 氧化物 光电子学 工程物理 冶金 电气工程 工程类 电压
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DOI
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其它 期刊:Symposium on VLSI Technology
作者:Gao; Zhang; Yu; Sun; Liu; et al
出版日期:2009-01-01
求助人
nnnnnn 在 2024-12-31 12:08:19 发布自吉林,悬赏 10 积分
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